硅基薄膜组件

专家:武振羽(新奥集团股份有限公司)

观点:

1、虽然目前晶硅光伏电池占主导地位,但预计薄膜电池将迅速增长,2008年已经达到20%的份额。

2、硅基薄膜的技术发展:单结——双结——三结(Si-Ge高效硅基薄膜电池、QD电池)。

3、近一两年,国内的高转换效率的硅基薄膜电池项目陆续上马,主流产品面积均在1㎡以上,转换效率均在6%以上。

4、2007年前国内生产的主流非晶硅薄膜电池为单结,转换效率低于6%。

5、硅基薄膜和非晶硅薄膜在弱光和强光下均具有比晶硅和CIGS更高的发电能力,比晶硅高15%。

6、在辐照度较高的区域,组件的背板温度差别不大,但是发电量差别明显,说明硅基薄膜的具有良好的温度特性。

7、较好光照条件下,硅基薄膜组件的背板工作温度是最低的,非常有利于建筑上的应用。

8、晴天条件,通风较好的情况下,组件背板温度超过50摄氏度,大约室温温度的两倍;因此建筑上光伏组件的应用需考虑通风散热等问题。

9、ENN硅基薄膜和非晶硅薄膜在弱光和强光下均具有比晶硅和CIGS更高的发电能力,其中比晶硅高8%。

10、高技术含量的双结BIPV产品的模组稳定光电转换效率一般均能超过8%,透光组件超过6%。相比于传统的非晶硅薄膜组件,已经具有较高的转换效率。

11、对阴影的遮挡不敏感,非常适合城市BIPV应用。

12、薄膜基BIPV组件的开发——背板钢化组件和中空BIPV组件。

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